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近日有中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文，论文中表述在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。该文表示通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。这项研究将为石墨烯的大规模应用奠定了基础。
研究人员表示新的研究过程中，中国北京大学和香港理工大学的研究人员成功开发出一种新技术，该技术能将化学气相沉积这一过程从每秒0.4微米提高到每秒60微米，在速度生产上提高150倍。而关键就是在参与反应的铜箔上直接加入了少许氧气。
研究表明氧化物基板会在化学气相沉积过程中高达800摄氏度的高温中释放出氧气。氧气的连续供应提高了石墨烯的生长速率。这是通过电子能谱分析证实了这一结果，但测量表明，氧气虽然被释放，然而总量很小。研究人员解释说，这可能与氧化物基板与铜箔之间非常狭小的空间产生了俘获效应，从而提高了氧气的利用效率有关。在实验中，研究人员能在短短5秒的时间内生产出0.3毫米的单晶石墨烯。
熟悉石墨烯的人都知道，石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上具有优异的特性，使其在电子学、太阳能电池、传感器等领域有着众多潜在应用。虽然需求巨大，但其制备速度缓慢，利用率一直徘徊在25%左右，成为制约其进入实际应用的瓶颈之一。目前制备高质量石墨烯的方法，除胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法外，主要是化学气相沉积法。但通过CVD技术生产单晶石墨烯薄膜仍然需要耗费很长的时间，制备一块厘米见方的单晶石墨烯薄膜至少需要一天的时间，十分缓慢。
这一研究的突破，对石墨烯产业而言具有意义重大。通过该技术石墨烯的生产将能采用效率更高的卷对卷制程。同时产量的增加和成本的下降，会将进一步扩大石墨烯的使用范围，刺激其需求量的增长。
